类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ P7
包装 管件 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 16.4nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 517pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 59.5W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO251-3
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPS70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fe3300d61