类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 60 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15nC @ 5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 480pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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