类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ P7
包装 管件 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 363pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 21W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包

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https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPA60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3b403a7a02ca