类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 剪切带（CT） 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.5 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 95nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2840pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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https://www.infineon.com/dgdl/irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d