IPD30N06S2L13ATMA4,英飞凌,MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS™ | |
包装 | Digi-Reel® | |
零件状态 | 有源 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 30A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 80µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 69nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1800pF @ 25V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 136W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t