IGW40T120 IGBT 晶体管

IGW40T120
半导体
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Infineon IGW40T120 IGBT 晶体管, 75 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247封装


最大连续集电极电流75 A
最大集电极-发射极电压1200 V
最大栅极发射极电压±20V
最大功率耗散270 W
封装类型TO-247
安装类型通孔
引脚数目3
配置
晶体管配置
长度16.13mm
宽度21.1mm
高度5.21mm
尺寸16.13 x 21.1 x 5.21mm
最低工作温度-40 °C
最高工作温度+150 °C


  • Infineon IGW40T120 IGBT 晶体管, 75 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247封装

产品详细信息

IGBT 分立,Infineon

Infineon 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。

IGBT 分立件和模块,Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


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